JANTXV2N3635和JANTXV2N3635L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV2N3635 JANTXV2N3635L 2N5679

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORSmall Signal Transistors TO-39 Case

数据手册 ---

制造商 Raytheon (雷神) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-5 TO-39-3

耗散功率 - - 1 W

增益频宽积 - - 30 MHz

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @50mA, 10V 40

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 65 ℃

击穿电压(集电极-发射极) - 140 V -

额定功率(Max) - 1 W -

长度 - - 9.4 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 6.6 mm

封装 - TO-5 TO-39-3

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

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