LMBT2222ALT1G和SMMBT2222ALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G KTN2222AE

描述 LMBT2222ALT1GNPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美) KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 300 mW 225 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 600mA 0.6A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 40 -

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

频率 - 300 MHz -

针脚数 - 3 -

额定功率(Max) - 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 40 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 2.64 mm -

高度 - 1.11 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

最小包装 3000 - -

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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