FQI9N50C和R5009ANX

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQI9N50C R5009ANX

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 I2PAK TO-220-3

耗散功率 - 50 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

上升时间 - 20 ns

输入电容(Ciss) - 650pF @25V(Vds)

下降时间 - 28 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

耗散功率(Max) - 50W (Tc)

极性 N-CH -

连续漏极电流(Ids) 9A -

长度 - 10.3 mm

宽度 - 4.8 mm

高度 - 15.4 mm

封装 I2PAK TO-220-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not For New Designs

包装方式 - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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