DU2805S和SD2900

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DU2805S SD2900 MRF134

描述 射频MOSFET功率晶体管, 5W , 28V 2 - 175兆赫 RF MOSFET Power Transistor, 5W, 28V 2 - 175 MHzMOSFET晶体管 N-Ch 65 Volt 0.9 AmpMOSFET晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

数据手册 ---

制造商 M/A-Com ST Microelectronics (意法半导体) M/A-Com

分类 MOS管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Surface Mount

引脚数 - - 4

封装 - M113 211-07

频率 - 400 MHz 400 MHz

额定电流 - 900 mA 900 mA

额定功率 - - 17.5 W

耗散功率 - 21.9 W 17.5 W

阈值电压 - - 3.5 V

漏源击穿电压 - 65.0 V 65 V

输出功率 - 5 W 5 W

增益 - 16 dB 11 dB

测试电流 - 50 mA 50 mA

输入电容(Ciss) - - 7pF @28V(Vds)

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 65 ℃

耗散功率(Max) - - 17500 mW

额定电压 - 65 V 65 V

额定电压(DC) - 65.0 V -

极性 - N-Channel -

输入电容 - 8.50 pF -

漏源极电压(Vds) - 65.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 900 mA -

封装 - M113 211-07

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Bulk Box Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司