M29W640GB60ZA6E和PZ28F064M29EWBA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29W640GB60ZA6E PZ28F064M29EWBA M29W640GB70ZA6E

描述 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8Bit/16Bit 60ns 48Pin TFBGA TrayNOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8Bit/16Bit 60ns 48Pin BGA TrayNOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片存储芯片Flash芯片

基础参数对比

引脚数 48 48 48

封装 TFBGA-48 VFBGA-48 TFBGA-48

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

位数 8, 16 8, 16 8, 16

存取时间(Max) 60 ns 60 ns 70 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

供电电流 - - 10 mA

存取时间 - 60 ns 70 ns

封装 TFBGA-48 VFBGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

ECCN代码 - - 3A991.b.1.a

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