IDT71256SA12TP和IDT71256SA12YG8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71256SA12TP IDT71256SA12YG8 IS61C256AL-12JLI

描述 CMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 12ns 28Pin SOJ T/RINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS61C256AL-12JLI  芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 12NS, SOJ-28

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 DIP-28 SOJ-28 BSOJ-28

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 28

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - - 5 V

针脚数 - - 28

位数 - - 8

存取时间 - - 12 ns

内存容量 - - 32000 B

存取时间(Max) - - 12 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

封装 DIP-28 SOJ-28 BSOJ-28

长度 - - 18.54 mm

宽度 - - 7.75 mm

高度 - - 2.67 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 3A991 3A991 EAR99

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