对比图
型号 IRFL4105PBF PHT8N06LT IRFL4105TRPBF
描述 INFINEON IRFL4105PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 VNXP PHT8N06LT 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 55 V, 80 mohm, 5 V, 1.5 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 3.70 A
额定功率 2.1 W - 2.1 W
通道数 - - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.045 Ω 80 mΩ 0.045 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.1 W 8.3 W 2.1 W
产品系列 - - IRFL4105
阈值电压 4 V 1.5 V 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 - - 55 V
连续漏极电流(Ids) 5.2A 5.50 A 3.70 A
上升时间 12 ns - 12 ns
输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) - 660pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W - 1 W
下降时间 12 ns - 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) - 1W (Ta)
长度 6.7 mm - 6.7 mm
宽度 3.7 mm - 3.7 mm
高度 1.7 mm - 1.8 mm
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - - EAR99