CAT93C66VI-GT3和M93C66-WMN6P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CAT93C66VI-GT3 M93C66-WMN6P M93C66-WMN6TP

描述 ON SEMICONDUCTOR  CAT93C66VI-GT3.  芯片, 存储器, EEPROM, 4Kb, 串行口, 2MHZ, SOIC-8STMICROELECTRONICS  M93C66-WMN6P  EEPROM, 微型导线, 4 Kbit, 512 x 8位, 2 MHz, 串行微丝, SOIC, 8 引脚PROM 串行 Microwire,STMicroelectronics工业标准 MICROWIRE™ 总线 ### EEPROM 串行存取 - STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 2 MHz 2 MHz 2 MHz

电源电压(DC) 1.80V (min) 5.00 V, 5.50 V (max) -

工作电压 1.8V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

无卤素状态 Halogen Free - -

供电电流 1 mA 2 mA 2 mA

针脚数 8 8 8

时钟频率 2 MHz 2 MHz 2 MHz

存取时间 250 ns 4.00 µs 200 ns

内存容量 500 B 500 B -

存取时间(Max) 250 ns 200 ns 200 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 1.8 V 2.5 V 2.5 V

长度 5 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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