对比图
型号 PHP32N06LT PHP32N06LT,127
描述 N沟道增强型网络场效晶体管 N-channel enhancement mode field effect transistorTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
耗散功率 97 W 97 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
输入电容(Ciss) 1280pF @25V(Vds) 1280pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 97 W 97 W
耗散功率(Max) - 97W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V -
额定电流 3.00 A -
通道数 1 -
漏源极电阻 37 mΩ -
极性 N-CH -
输入电容 1.28 nF -
栅电荷 17.0 nC -
漏源击穿电压 60 V -
连续漏极电流(Ids) 34.0 A -
上升时间 120 ns -
下降时间 55 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.3 mm -
宽度 4.7 mm -
高度 9.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free