BC846A,235和BC846ALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846A,235 BC846ALT1G BC846BWT1G

描述 TO-236AB NPN 65V 0.1AON SEMICONDUCTOR  BC846ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFENPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-70-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - 65.0 V 65.0 V

额定电流 - 100 mA 100 mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.25 W 300 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 300 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - 100 100

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 150 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

最大电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V - -

长度 - 2.9 mm 2.2 mm

宽度 - 1.3 mm 1.24 mm

高度 - 0.94 mm 0.9 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-70-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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