FDW2501NZ和SI6954ADQ-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDW2501NZ SI6954ADQ-T1-GE3 FDS6984AS

描述 双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETSmall Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 2Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-153AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-153, TSSOP-8ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6984AS, 5.5 A,8.5 A, Vds=30 V, 8引脚

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 TSSOP-8 TSSOP SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 6.00 A - -

漏源极电阻 18.0 mΩ - 0.017 Ω

极性 N-Channel - -

耗散功率 1 W - 2 W

漏源极电压(Vds) 20 V - 30 V

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 5.50 mA - -

上升时间 14 ns - -

输入电容(Ciss) 1286pF @10V(Vds) - 420pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 600 mW - 900 mW

下降时间 8 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1.7 V

耗散功率(Max) - - 2000 mW

长度 4.4 mm - 5 mm

宽度 3 mm - 3.99 mm

高度 1 mm - 1.5 mm

封装 TSSOP-8 TSSOP SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台