PBLS6004D和PBLS6004D,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBLS6004D PBLS6004D,115 PBLS6004D/T2

描述 TSOP NPN+PNP 50V/60V 100mA/1ATSOP NPN+PNP 50V/60V 100mA/1ASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SOT-163 TSOP-457 -

通道数 - 2 -

极性 NPN+PNP NPN+PNP -

耗散功率 - 0.6 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50V, 60V 50V, 60V -

集电极最大允许电流 100mA/1A 100mA/1A -

额定功率(Max) - 600 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

增益带宽 - 185 MHz -

耗散功率(Max) - 600 mW -

宽度 - 1.7 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-163 TSOP-457 -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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