IDT7202LA35P和IDT7202LA35SO

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT7202LA35P IDT7202LA35SO 7202LA35SO

描述 CMOS异步FIFO 256 ×9 , 512× 9 , 1K ×9 CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9CMOS异步FIFO 256 ×9 , 512× 9 , 1K ×9 CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 1K x 9 28Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 FIFOFIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 28

封装 DIP SOIC-28 SOIC

长度 - - 17.9 mm

宽度 - - 8.40 mm

封装 DIP SOIC-28 SOIC

厚度 - - 2.62 mm

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

存取时间 - 35 ns -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

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