CY7C1399B-10VC和IS61LV256AL-10JLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1399B-10VC IS61LV256AL-10JLI CY7C1399B-10VCT

描述 32K ×8 3.3V静态RAM 32K x 8 3.3V Static RAMSRAM Chip Async Single 3.3V 256Kbit 32K x 8 10ns 28Pin SOJCache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 SOJ SOJ-28 SOJ

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 28 28 -

封装 SOJ SOJ-28 SOJ

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

供电电流 - 35 mA -

位数 - 8 -

存取时间 - 10 ns -

内存容量 - 32000 B -

存取时间(Max) - 10 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

电源电压 - 3.135V ~ 3.6V -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3.135 V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

ECCN代码 - EAR99 -

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