对比图
型号 IXFN90N30 IXTK102N30P IXFH94N30P3
描述 SOT-227B N-CH 300V 90AIXYS SEMICONDUCTOR IXTK102N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFH94N30P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 300 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 4 3 3
封装 SOT-227-4 TO-264-3 TO-247-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 33 mΩ 0.036 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 560W (Tc) 700 W 1.04 kW
阈值电压 4 V 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V
连续漏极电流(Ids) 90A 102 A 94A
上升时间 55 ns 28 ns 19 ns
反向恢复时间 - 250 ns -
输入电容(Ciss) 10000pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) 5510pF @25V(Vds)
下降时间 40 ns 30 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 560W (Tc) 700W (Tc) 1040W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源击穿电压 - - 300 V
额定功率(Max) - - 1040 W
封装 SOT-227-4 TO-264-3 TO-247-3
宽度 25.42 mm - 5.3 mm
长度 - - 16.26 mm
高度 - - 21.46 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99