BSC077N12NS3G和BSC100N03MSGATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC077N12NS3G BSC100N03MSGATMA1 BSC0902NS

描述 120V,98A,N沟道功率MOSFETINFINEON  BSC100N03MSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0083 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  BSC0902NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 120 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

额定功率 - 30 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0083 Ω 0.0022 Ω

耗散功率 - 30 W 48 W

阈值电压 - 2 V 1.2 V

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V -

连续漏极电流(Ids) - 12A 24A

上升时间 - 4.8 ns 5.2 ns

输入电容(Ciss) - 1700pF @15V(Vds) 1700pF @15V(Vds)

下降时间 - 5.4 ns 3.6 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc)

额定功率(Max) - - 48 W

封装 120 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

长度 - 5.9 mm 5.9 mm

宽度 - 5.15 mm 5.15 mm

高度 - 1.27 mm 1.27 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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