1N966B和JAN1N966B-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N966B JAN1N966B-1 1N967B

描述 Zener Diode 16V 5% 0.5W(1/2W) Do-35 Case冶金结合双封堵施工 METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION冶金结合 METALLURGICALLY BONDED

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 - DO-35 DO-204AA

容差 - ±5 % ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

测试电流 - 7.8 mA 7 mA

稳压值 - 16 V 18 V

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率 - 0.48 W -

封装 - DO-35 DO-204AA

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -

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