APT6017JFLL和APT8020B2LL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6017JFLL APT8020B2LL IXFX44N60

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4Pin SOT-227Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin(3+Tab) T-MAX单 N-沟道 600 V 560 W 330 nC 通孔 功率 Mosfet - PLUS247

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Through Hole Through Hole

引脚数 4 - 3

封装 SOT-227 - TO-247-3

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 31.0 A - 44.0 A

耗散功率 375 W - 560 W

输入电容 4.50 nF - -

栅电荷 100 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V

连续漏极电流(Ids) 31.0 A - 44.0 A

上升时间 6 ns - 50 ns

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) - 8900pF @25V(Vds)

下降时间 7 ns - 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 375000 mW - 560W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 130 mΩ

极性 - - N-CH

阈值电压 - - 4.5 V

漏源击穿电压 - - 600 V

封装 SOT-227 - TO-247-3

长度 - - 16.13 mm

宽度 - - 5.21 mm

高度 - - 21.34 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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