VUO120-12NO2T和VUO155-12NO1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VUO120-12NO2T VUO155-12NO1 VUO120-12NO1

描述 Diode Bridge 1200V 180A1200V 157A1200V 121A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 二极管二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Chassis Screw Through Hole

引脚数 - 9 9

封装 V2-PAK V2-PAK V2-PAK

正向电压 1.59V @150A 1.59V @150A 1.59V @150A

耗散功率 - 190000 mW 150000 mW

最大反向电压(Vrrm) - 1200V 1200V

正向电流 - 157 A 121 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 850 A 650 A

正向电流(Max) - 157 A 121 A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 190000 mW 150000 mW

高度 13 mm 17 mm 17 mm

封装 V2-PAK V2-PAK V2-PAK

长度 93 mm - 93 mm

宽度 40.4 mm - 40.4 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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