1N4102UR-1和JAN1N4102UR-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4102UR-1 JAN1N4102UR-1 1N4102

描述 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODESZener Diode, 8.7V V(Z), Silicon, Unidirectional,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 2 2 -

封装 DO-213AA DO-213AA -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

测试电流 0.25 mA 0.25 mA -

稳压值 8.7 V 8.7 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

封装 DO-213AA DO-213AA -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台