BSO033N03MS G和IRF7831PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO033N03MS G IRF7831PBF IRF7831TRPBF

描述 INFINEON  BSO033N03MS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1 VTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin SOIC TubeTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 P-DSO SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 21.0 A 21.0 A

漏源极电阻 0.0028 Ω - 4.4 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.56 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 - IRF7831 IRF7831

输入电容 - - 6240pF @15V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 21.0 A 21.0 A

上升时间 12.8 ns 10.0 ns 10.0 ns

输入电容(Ciss) 9600pF @15V(Vds) 6240pF @15V(Vds) 6240pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.56 W 2.5 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

阈值电压 1 V - -

下降时间 14 ns - -

耗散功率(Max) 2500 mW - -

长度 4.9 mm - 5 mm

高度 1.75 mm - 1.5 mm

封装 P-DSO SOIC-8 SOIC-8

宽度 3.9 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台