对比图
型号 IXTH20N60 STW20NM60FD SPW35N60CFD
描述 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-247ADN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsINFINEON SPW35N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 20.0 A 20.0 A 34.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.26 Ω 0.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 214 W 313 W
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 4.50 nF 1.30 nF 5.06 nF
栅电荷 170 nC 37.0 nC 212 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A 34.0 A
上升时间 43 ns 12 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 5060pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 214 W 313 W
下降时间 40 ns 22 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 214W (Tc) 313 W
通道数 - - 1
长度 16.26 mm 15.75 mm 16.13 mm
宽度 5.3 mm 5.15 mm 5.21 mm
高度 21.46 mm 20.15 mm 21.1 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99