VI20150C-E3/4W和VI20150CHM3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VI20150C-E3/4W VI20150CHM3/4W VI20150C-M3/4W

描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A整流器 RECOMMENDED ALT 78-V20PW15CHM3/IDiode Schottky 150V 20A 3Pin(3+Tab) TO-262AA Tube

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列TVS二极管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

正向电压 1.2V @10A 1.2V @10A 1.2V @10A

正向电压(Max) 1.2V @10A - -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台