IDT71256S35DB和NS41256S35J/883

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71256S35DB NS41256S35J/883 IDT71256S35TDB

描述 CMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28CMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) TI (德州仪器) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

引脚数 - 28 -

封装 DIP DIP DIP

长度 - 37.08 mm -

宽度 - 7.62 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

ECCN代码 3A001 - 3A001

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