BD912和MJ16010

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD912 MJ16010 2N6491G

描述 PNP 功率晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。15 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 450 VOLTS 135 AND 175WON SEMICONDUCTOR  2N6491G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 5 MHz, 1.8 W, -15 A, 5 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Motorola (摩托罗拉) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 - TO-220-3

频率 3 MHz - 5 MHz

额定电压(DC) -100 V - -80.0 V

额定电流 -15.0 A - 15.0 A

针脚数 3 - 3

极性 PNP, P-Channel - PNP, P-Channel

耗散功率 90 W - 1.8 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V - 80 V

热阻 - - 1.67℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - - 15A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @5A, 4V - 20 @5A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 150 - 150

额定功率(Max) 90 W - 1.8 W

直流电流增益(hFE) 40 - 5

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 90 W - 1800 mW

增益频宽积 3 MHz - -

长度 10.4 mm - 10.28 mm

宽度 4.6 mm - 4.82 mm

高度 9.15 mm - 15.75 mm

封装 TO-220-3 - TO-220-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台