IXTK550N055T2和IXTX550N055T2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTK550N055T2 IXTX550N055T2

描述 TO-264 N-CH 55V 550AMosfet n-Ch 55V 550A Plus247

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-264-3 TO-247-3

耗散功率 1250W (Tc) 1250W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

输入电容(Ciss) 40000pF @25V(Vds) 40000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 1250W (Tc) 1250W (Tc)

极性 N-CH -

连续漏极电流(Ids) 550A -

封装 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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