JAN2N5151L和JANS2N5151

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5151L JANS2N5151 JANS2N5151L

描述 PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-5 TO-39 TO-5

封装 TO-5 TO-39 TO-5

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @2.5A, 5V - -

额定功率(Max) 1 W - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司