BZX55C10-TAP和BZX79C10 R0

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55C10-TAP BZX79C10 R0 BZX55C10RL

描述 齐纳二极管 500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDiode Zener Single 10V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/RDiode Zener Single 10V 6% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/R

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

耗散功率 500 mW 500 mW -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 10 V 10 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

击穿电压 10.6 V - -

正向电压 1.5 V - -

正向电压(Max) 1.5V @200mA - -

额定功率(Max) 500 mW - -

耗散功率(Max) 500 mW - -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

长度 3.9 mm - -

包装方式 Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) -

产品生命周期 Active - Unknown

最小包装 10000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

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