MOCD223M和MOCD223R2M

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MOCD223M MOCD223R2M ILD223T

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MOCD223M  光耦合器,SMD 双通道FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MOCD223R2M  光电耦合器, 达林顿, 2.5KV, SOIC-8光耦合器,达林顿晶体管输出,Vishay Semiconductor### 光耦合器,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 8µs, 110µs 8µs, 110µs -

输入电压(DC) 1.05 V 1.05 V -

输出电压 30.0 V 90.0 V 30.0 V

电路数 2 2 -

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

正向电压 1.25 V 1.25 V 1.3 V

输入电流 1.00 mA 60.0 mA 30.0 mA

耗散功率 0.25 W 250 mW 0.25 W

上升时间 8 µs 6 µs 0.015 ms

隔离电压 2500 Vrms 2500 Vrms 4000 Vrms

正向电流 60 mA 60 mA 30 mA

输出电压(Max) 30 V 30 V 30 V

输入电流(Min) 60 mA 60 mA 30 mA

击穿电压 6 V 6 V 6 V

正向电压(Max) 1.3 V 1.3 V 1.3 V

正向电流(Max) 60 mA 60 mA 30 mA

下降时间 110 µs 45 µs 0.030 ms

工作温度(Max) 100 ℃ 100 ℃ 100 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - -

额定电压(DC) - - 1.30 V

电容 - - 500 fF

长度 - 5.13 mm -

宽度 4.16 mm 4.16 mm -

高度 3.43 mm 3.43 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃ -55℃ ~ 100℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Box Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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