1N4372AE3和JAN1N4372A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4372AE3 JAN1N4372A JANTX1N4372A-1

描述 DO-35 3V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-35 DO-35 DO-35

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - - 2

封装 DO-35 DO-35 DO-35

长度 - - 5.08 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - - Bag

耗散功率 500 mW - 500 mW

稳压值 3 V - 3 V

容差 - - ±5 %

正向电压 - - 1.1 V

测试电流 - - 20 mA

额定功率(Max) - - 500 mW

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃

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