MMBZ5226B-V-GS08和MMBZ5226BLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ5226B-V-GS08 MMBZ5226BLT1G MMBZ5226B

描述 VISHAY  MMBZ5226B-V-GS08  齐纳二极管, 3.3V, 225mW, SOT-23ON SEMICONDUCTOR  MMBZ5226BLT1G  单管二极管 齐纳, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C3.3V±5%, 41 0mW

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美) PANJIT Touch Screens

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

长度 3.1 mm 2.9 mm -

宽度 1.43 mm 1.3 mm -

高度 1.05 mm 0.94 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

额定电压(DC) - 3.30 V -

容差 - ±5 % -

额定功率 - 225 mW -

击穿电压 - 3.47 V -

针脚数 3 3 -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 225 mW 225 mW -

测试电流 20 mA 20 mA -

稳压值 3.3 V 3.3 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 225 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

材质 - Plastic -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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