对比图
型号 SPB80N03S203GATMA1 STB80NF03L-04T4
描述 D2PAK N-CH 30V 80AN沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3-2 TO-263-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A
输入电容(Ciss) 7020pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) - 30.0 V
额定电流 - 80.0 A
通道数 - 1
漏源极电阻 - 4.00 mΩ
输入电容 - 5500 pF
漏源击穿电压 - 30.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
上升时间 - 270 ns
额定功率(Max) - 300 W
下降时间 - 95 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
封装 TO-263-3-2 TO-263-3
宽度 - 9.35 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free