W25Q32JVSSIQ和W25Q32JVSSIQ TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W25Q32JVSSIQ W25Q32JVSSIQ TR W25Q32FVSSIP

描述 W25Q32JVSSIQ 管装IC FLASH 32Mbit 4KB 8SOPIC FLASH 32Mbit 104MHz 8SOIC

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

位数 8 - -

存取时间(Max) 6 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 3A991.b.1.a - -

香港进出口证 NLR - -

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