IS43R32800B-6BL和IS43R32800D-6BL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43R32800B-6BL IS43R32800D-6BL IS43R32800D-5BLI

描述 动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 333MHz DDR 2.5vDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 2.5V 144Pin LFBGADDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-205, LFBGA-144

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 144 144 144

封装 FBGA-144 LFBGA-144 LFBGA-144

供电电流 - 405 mA 480 mA

位数 32 32 32

存取时间 6 ns 700 ps 700 ps

存取时间(Max) 0.7 ns 0.7 ns 0.7 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V

电源电压(Max) - - 2.7 V

电源电压(Min) - - 2.3 V

封装 FBGA-144 LFBGA-144 LFBGA-144

长度 12 mm - -

宽度 12 mm - -

高度 0.9 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - - EAR99

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