SST26VF016-80-5C-S2AE和SST26VF016B-104I/SM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SST26VF016-80-5C-S2AE SST26VF016B-104I/SM AT45DB161E-SHD-B

描述 IC FLASH 16Mbit 80MHz 8SOICSST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC,具有六线、4 位输入/输出接口,允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能,带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能,用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术,这些设备可提供卓越的擦除时间,与其他闪存备选设备相比,非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成,全芯片擦除操作通常需要 35 ms。### 特点串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出,带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA(104 MHz 时典型),待机 15 μA(典型) 快速擦除时间 - 扇区/块擦除:18 ms(典型);芯片擦除 35 ms(典型) 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存,MicrochipADESTO TECHNOLOGIES  AT45DB161E-SHD-B  闪存, DataFlash®, 16 Mbit, 4096 页 x 528字节, 85 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Adesto Technologies

分类 存储芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 - 2.7V ~ 3.6V -

针脚数 - 8 8

时钟频率 - 104 MHz 85 MHz

存取时间(Max) - 8 ns 6 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V 2.5 V

供电电流 - - 26 mA

位数 - - 8

内存容量 - - 2000000 B

长度 - 5.26 mm -

宽度 - 5.25 mm -

高度 - 1.98 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.1.a EAR99

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