BSH112和BSS123,215的区别_BSH112代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 BSH112 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK1 防止过高的输入电压浪涌门和源之间的集成二极管Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS123,215, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装t- Mosfet n Chan Enhan

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NTE Electronics

分类 MOS管分立器件

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 3.5 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 250 mW -

阈值电压 - 2 V -

输入电容 - 23 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 0.3A 150 mA -

输入电容(Ciss) - 40pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -