PHE13005和PHE13005X,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHE13005 PHE13005X,127

描述 Silicon Diffused Power TransistorTrans GP BJT NPN 400V 4A 3Pin(3+Tab) TO-220F Rail

数据手册 --

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-78 TO-220-3

安装方式 - Through Hole

耗散功率 75000 mW -

最小电流放大倍数(hFE) 10 10 @2A, 5V

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

击穿电压(集电极-发射极) - 400 V

额定功率(Max) - 26 W

封装 SOT-78 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - 150℃ (TJ)

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