TLV27L2CDR和TLV27L2IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV27L2CDR TLV27L2IDR LMC6572BIMX/NOPB

描述 系列微功耗轨到轨输出运算放大器 FAMILY OF MICROPOWER RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS低电压 BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsDual Low Voltage (2.7V to 3V) Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 12.0V (max)

输出电流 0.4mA @2.7V 0.4mA @2.7V ≤10 mA

供电电流 7 µA 7 µA 80 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 71 dB 71 dB 60 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.50 µV/K

转换速率 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs 90.0 mV/μs

增益频宽积 160 kHz 160 kHz 220 kHz

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 0.02 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.16 MHz 0.16 MHz 220 kHz

共模抑制比(Min) 71 dB 71 dB 60 dB

电源电压(Max) - 16 V 11 V

电源电压(Min) - 2.7 V 2.7 V

耗散功率 0.71 W 710 mW -

带宽 160 kHz 160 kHz -

耗散功率(Max) 710 mW 710 mW -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.58 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

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