L6562ATDTR和L6562D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6562ATDTR L6562D L6562ATD

描述 L6562AT 系列 22.5 V 5.5 mA 表面贴装 临界模式 PFC 控制器-SOIC-8STMICROELECTRONICS  L6562D  芯片, 功率因子校正器STMICROELECTRONICS  L6562ATD  芯片, PFC控制器, -0.6/0.8A, 1%, 8SOIC

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 电源管理电源管理电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 22.0V (max) 10.5V (min)

针脚数 8 8 8

开关频率 1 MHz 1 MHz 1 MHz

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 10.5V ~ 22.5V 10.3V ~ 22V 10.5V ~ 22.5V

电源电压(Max) 22.5 V 22 V 22.5 V

电源电压(Min) 10.5 V 10.3 V 10.5 V

频率 - 70 kHz -

工作电压 - 10.3V ~ 22V -

额定功率 - 650 mW -

输出电流 0.8 A 800 mA -

输入电流 - 2.50 mA -

耗散功率 0.65 W 650 mW -

输出电压 10.3 V - -

热阻 150 ℃/W - -

输入电压 10.5V ~ 22.5V - -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.25 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -25℃ ~ 125℃ -25℃ ~ 125℃ -25℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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