BCP55-16和BCP55-16TA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP55-16 BCP55-16TA BCP55-16E6433

描述 Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 PinTrans GP BJT NPN 60V 1A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RPower Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Diodes (美台) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 - SOT-223 -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V -

集电极最大允许电流 - 1A -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

封装 - SOT-223 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

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