2SA1962OTU和FJA4213OTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SA1962OTU FJA4213OTU 2STA2120

描述 2SA1962 系列 250 V CE 击穿 17 A PNP 外延硅 晶体管 TO-3PPower PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。高功率PNP外延平面双极transistorl High power PNP epitaxial planar bipolar transistorl

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3-3

频率 30 MHz 30 MHz -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 130 W 130 W 200 W

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 17A 17A 17A

最小电流放大倍数(hFE) 80 @1A, 5V 55 80 @1A, 5V

额定功率(Max) 130 W 130 W 200 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 130000 mW 130 W 200000 mW

额定功率 - - 200 W

额定电压(DC) - -230 V -

额定电流 - -15.0 A -

增益频宽积 - 30 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 160 -

高度 19.9 mm 18.9 mm -

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3-3

长度 - 15.6 mm -

宽度 - 4.8 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 -

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