BFT93W和BFT92W,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFT93W BFT92W,115 BFS17

描述 PNP 4 GHz宽带晶体管 PNP 4 GHz wideband transistorNXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsTransistor,

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Vishay Intertechnology

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

频率 - 4000 MHz -

额定功率 - 300 mW -

针脚数 - 3 -

极性 - PNP, P-Channel -

耗散功率 - 300 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -

增益 - 17 dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @15mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 20 -

额定功率(Max) - 300 mW -

直流电流增益(hFE) - 50 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

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