BUX85F和D40D1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUX85F D40D1 D40K2

描述 扩散硅功率晶体管 Silicon diffused power transistorsTRANSISTOR 1 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202, BIP General Purpose PowerTO-202 NPN 50V 2A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) National Semiconductor (美国国家半导体) Central Semiconductor

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-220 - TO-202-3

极性 NPN - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 450 V - 50 V

集电极最大允许电流 2A - 2A

耗散功率 - - 10 W

增益频宽积 - - 75 MHz

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 65 ℃

封装 TO-220 - TO-202-3

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

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