对比图
型号 AON7244 IPB081N06L3GATMA1 SUD50N06-09L-T4-E3
描述 60V,50A,N沟道功率MOSFETINFINEON IPB081N06L3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.7 mohm, 10 V, 1.7 VPower Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2
数据手册 ---
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Infineon (英飞凌) Vishay Intertechnology
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 3 -
封装 DFN-8 TO-263 -
额定功率 33 W 79 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0067 Ω -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 83 W 79 W -
阈值电压 - 1.7 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -
连续漏极电流(Ids) 50A 50A -
上升时间 - 26 ns -
输入电容(Ciss) 2435pF @30V(Vds) 3700pF @30V(Vds) -
下降时间 - 7 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 6.2W (Ta), 83W (Tc) 79000 mW -
额定功率(Max) 6.2 W - -
长度 - 10.31 mm -
宽度 - 9.45 mm -
高度 - 4.57 mm -
封装 DFN-8 TO-263 -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -