LH21256-12和MCM6256BP12

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LH21256-12 MCM6256BP12 HYB41256-12

描述 Page Mode DRAM, 256KX1, 120ns, NMOS, PDIP16, DIP-16Page Mode DRAM, 256KX1, 120ns, NMOS, PDIP16, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16262,144Bit DYNAMIC RAM

数据手册 ---

制造商 Sharp (夏普) Motorola (摩托罗拉) Siemens Semiconductor (西门子)

分类

基础参数对比

封装 DIP DIP -

封装 DIP DIP -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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