LM6132AIN和LM6132BIN/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM6132AIN LM6132BIN/NOPB LM6132BIN

描述 IC OPAMP GP 11MHz RRO 8DIPTEXAS INSTRUMENTS  LM6132BIN/NOPB..  双运算放大器TEXAS INSTRUMENTS  LM6132BIN  运算放大器, 双路, 10 MHz, 2个放大器, 12 V/µs, 1.8V 至 24V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

供电电流 390 µA 390 µA 390 µA

电路数 2 2 2

转换速率 12.0 V/μs 14.0 V/μs 14.0 V/μs

增益频宽积 11 MHz 10 MHz 11 MHz

输入补偿电压 1.7 mV 1.7 mV 1.7 mV

输入偏置电流 125 nA 125 nA 125 nA

电源电压(DC) - - 5.00 V

输出电流 - ≤25 mA 4.30 mA

通道数 - 2 2

针脚数 - 8 8

输入补偿漂移 - 5.00 µV/K 5.00 µV/K

带宽 - 10 MHz 10 MHz

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 10 MHz 10 MHz

电源电压 - 1.8V ~ 24V 1.8V ~ 24V

共模抑制比 - 60 dB -

共模抑制比(Min) - 60 dB -

电源电压(Max) - 24 V -

电源电压(Min) - 1.8 V -

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

长度 - 10.16 mm -

宽度 - 6.35 mm -

高度 - 5.08 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

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