LMC662CM和LMC662CMX/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC662CM LMC662CMX/NOPB LMC662CM/NOPB

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LMC662CM  运算放大器, 双路, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.1 V/µs, 4.75V 至 15.5V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LMC662CMX/NOPB  运算放大器, 轨至轨, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.1 V/µs, 4.75V 至 15.5V, SOIC, 8 引脚 新TEXAS INSTRUMENTS  LMC662CM/NOPB  芯片, 运算放大器, 1.4MHZ, 1.1V/uS, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 22mA @5V 22mA @5V 22mA @5V

供电电流 750 µA 750 µA 750 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 63dB ~ 83dB 63dB ~ 83dB 63 dB

输入补偿漂移 1.30 µV/K 1.30 µV/K 1.30 µV/K

带宽 1.4 MHz 1.4 MHz 1.4 MHz

转换速率 1.10 V/μs 1.10 V/μs 1.10 V/μs

增益频宽积 1.4 MHz 1.4 MHz 1.4 MHz

输入补偿电压 1 mV 1 mV 1 mV

输入偏置电流 0.002 pA 0.002 pA 0.002 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 1.4 MHz 1.4 MHz 1.4 MHz

共模抑制比(Min) 63 dB 63 dB 63 dB

电源电压 4.75V ~ 15.5V 4.75V ~ 15.5V 4.75V ~ 15.5V

电源电压(Max) 15.5 V 15.5 V 15.5 V

电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V 4.75 V

电源电压(DC) 5.00 V - -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.45 mm 1.5 mm 1.45 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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