对比图
型号 IPP50R140CPXKSA1 IPP50R250CPHKSA1 IPP50R140CPHKSA1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 500 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 VTO-220AB N-CH 500V 13ATO-220AB N-CH 500V 23A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 192 W - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 140 mΩ - -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 192 W 114W (Tc) 192W (Tc)
阈值电压 3 V - -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V
漏源击穿电压 500 V - -
连续漏极电流(Ids) 23A 13A 23A
上升时间 14 ns - 14 ns
输入电容(Ciss) 2540pF @100V(Vds) 1420pF @100V(Vds) 2540pF @100V(Vds)
下降时间 8 ns - 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 192W (Tc) 114W (Tc) 192W (Tc)
额定功率(Max) - - 192 W
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10 mm -
宽度 - 4.4 mm -
高度 - 15.65 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅