JANTX2N6286和NTE252

对比图

型号 JANTX2N6286 NTE252 PMD17K100

描述 Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-204AA, Metal, 2Pin, TO-204AA, 2PinTO-3 PNP 100V 20ATO-3 PNP 100V 20A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-3 TO-3

引脚数 3 2 -

极性 - PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 - 20A 20A

耗散功率 175 W 160 W -

最小电流放大倍数(hFE) 1250 @10A, 3V - -

额定功率(Max) 175 W - -

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 175000 mW 160000 mW -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 20.0 A -

直流电流增益(hFE) - 4000 -

封装 TO-3 TO-3 TO-3

高度 - 8.89 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - -

ECCN代码 EAR99 - -

HTS代码 - 85412900951 -