IPI65R600C6和IPI65R600C6XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPI65R600C6 IPI65R600C6XKSA1 IPI60R520CP

描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R600C6XKSA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 0.52 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - 63W (Tc) 66 W

阈值电压 - - 3 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V

漏源击穿电压 - - 600 V

连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.3A 6.80 A

上升时间 9 ns 9 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 440pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds) 630pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 63 W - 66 W

下降时间 13 ns 13 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 63 W 63W (Tc) -

额定功率 - 63 W -

长度 10.36 mm 10.36 mm 10.2 mm

宽度 4.52 mm 4.52 mm 4.5 mm

高度 9.45 mm 9.45 mm 9.45 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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